الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TSM045NA03CR RLG
Product Overview
المُصنّع:
Taiwan Semiconductor Corporation
رقم الجزء DiGi Electronics:
TSM045NA03CR RLG-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 108A 8PDFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 108A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
المخزون:
102 قطع جديدة أصلية في المخزون
12897643
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TSM045NA03CR RLG المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Taiwan Semiconductor
تعبئة
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
108A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1194 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
89W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-PDFN (5x6)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
TSM045
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
TSM045NA03CR
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
TSM045NA03CRRLGDKR
TSM045NA03CR RLGCT-DG
TSM045NA03CR RLGDKR-DG
TSM045NA03CR RLGTR
TSM045NA03CRRLGCT
TSM045NA03CR RLGDKR
TSM045NA03CR RLGTR-DG
TSM045NA03CR RLGCT
TSM045NA03CRRLGTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
BSZ050N03LSGATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
4582
DiGi رقم الجزء
BSZ050N03LSGATMA1-DG
سعر الوحدة
0.27
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BSC052N03LSATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
27313
DiGi رقم الجزء
BSC052N03LSATMA1-DG
سعر الوحدة
0.36
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BSC050N03LSGATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
3088
DiGi رقم الجزء
BSC050N03LSGATMA1-DG
سعر الوحدة
0.26
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TSM150P04LCS RLG
MOSFET P-CHANNEL 40V 22A 8SOP
TSM260P02CX6 RFG
MOSFET P-CHANNEL 20V 6.5A SOT26
TSM60NB600CF C0G
MOSFET N-CH 600V 8A ITO220S
DMTH6016LFDFW-7
MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN